Kaip atskirti PNP ir NPN tranzistorius?

1, Pagrindinė PNP ir NPN tranzistorių struktūra
PNP tranzistoriai sudaryti iš dviejų P tipo puslaidininkių medžiagų, sujungiančių N tipo puslaidininkinę medžiagą, sudarydamos "PNP" išdėstymo seką. Šioje struktūroje P tipo sritis tarnauja kaip emiteris (E) ir kolektorius (C), o N tipo sritis yra pagrindas (B). PNP tranzistoriai leidžia srovei tekėti iš emiterio į kolektorių, kai yra įtempta į priekį (ty emiterio įtampa yra didesnė už bazinę įtampą, o bazinė įtampa yra didesnė už kolektoriaus įtampą).
Skirtingai nuo PNP tranzistorių, NPN tranzistoriai yra sudaryti iš dviejų N tipo puslaidininkių medžiagų, sujungiančių P tipo puslaidininkinę medžiagą, sudarydamos "NPN" išdėstymo seką. Čia N tipo sritis tarnauja kaip emiteris ir kolektorius, o P tipo sritis yra pagrindas. NPN tranzistoriai leidžia srovei tekėti iš emiterio į kolektorių, kai įtampa yra į priekį (ty emiterio įtampa yra mažesnė už bazinę įtampą, o bazinė įtampa yra mažesnė už kolektoriaus įtampą).
2, Darbo principų skirtumai
Kai PNP tranzistoriaus bazė yra teigiamai pakreipta emiterio atžvilgiu, o kolektorius yra neigiamai pakreiptas pagrindo atžvilgiu, emiterio P tipo medžiagoje esančios skylės (teigiamų krūvių nešikliai) pritraukiamos į N tipo sritį. bazė, formuojanti bazinę srovę. Tuo pačiu metu dalis šių skylių kirs pagrindo kolektoriaus jungtį ir pateks į kolektoriaus P tipo sritį, sudarydamos kolektoriaus srovę. PNP tranzistorių veikimo principas priklauso nuo skylių srauto ir rekombinacijos proceso.
NPN tranzistorių veikimo principas pagrįstas elektronų (neigiamų krūvininkų) srautu. Kai NPN tranzistoriaus bazė yra teigiamai pakreipta emiterio atžvilgiu, o kolektorius yra teigiamai pakreiptas bazės atžvilgiu, elektronai emiterio N tipo medžiagoje pritraukiami į pagrindo P tipo sritį, kur jie rekombinuojasi. su skylutėmis, kad susidarytų bazinė srovė. Tuo pačiu metu dalis šių elektronų kirs bazinio kolektoriaus sandūrą ir pateks į N tipo kolektoriaus sritį, sudarydami kolektoriaus srovę. NPN tranzistoriai pasiekia srovės stiprinimą ir perjungimo valdymą per elektronų srautą ir rekombinaciją.
3, Praktiniai PNP ir NPN tranzistorių atskyrimo metodai
Stebėkite kaiščių išdėstymą
Nors skirtingų gamintojų tranzistorių pakuotės gali skirtis, paprastai kalbant, PNP ir NPN tranzistorių kaiščių išdėstymas atitinka tam tikras taisykles. Įprastų TO-92 supakuotų tranzistorių PNP tranzistorių kaiščių išdėstymas paprastai yra (iš kairės į dešinę): emiteris (E), bazė (B), kolektorius (C); NPN tranzistorių kaiščių išdėstymas paprastai yra (iš kairės į dešinę): emiteris (E), bazė (B), kolektorius (C). Tačiau ši taisyklė nėra absoliuti, todėl praktikoje būtina derinti kitus sprendimo būdus.
Išmatuokite multimetru
Multimetras yra vienas iš tiesiausių ir dažniausiai naudojamų įrankių atskirti PNP ir NPN tranzistorius. Nustačius multimetrą į diodo bandymo režimą (ar panašų režimą), galima išmatuoti įtampos kritimą tarp tranzistoriaus kontaktų, kad būtų galima nustatyti jo tipą. Konkretus metodas yra toks:
Raudoną multimetro zondą (teigiamą gnybtą) prijunkite prie vieno iš tranzistoriaus kaiščių, o juodą zondą (neigiamą gnybtą) iš eilės prie kitų dviejų kaiščių. Stebėkite multimetro rodmenų pokyčius.
PNP tranzistorių atveju, kai juodas zondas liečiasi su emiteriu, o raudonas zondas – su baze, multimetras turėtų rodyti nedidelį tiesioginės įtampos kritimą (maždaug nuo {{0}},6 V iki 0,7 V), o tai rodo, kad emiteris bazinė jungtis yra į priekį pakreiptos būsenos. Kai juodas zondas liečiasi su kolektoriumi, dėl kolektoriaus pagrindo jungties atvirkštinio poslinkio būsenos multimetro rodmenys turėtų būti artimi begalybei.
NPN tranzistorių atveju situacija yra priešinga. Kai raudonas zondas liečiasi su spinduliuote, o juodas zondas – prie pagrindo, multimetras turi rodyti nedidelį įtampos kritimą į priekį; Kai raudonas zondas liečiasi su kolektoriumi, multimetro rodmenys taip pat turėtų būti artimi begalybei.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-transistor-2sa1020-to-92mod.html