Kuo skiriasi NPN ir PNP tranzistoriai?

1, struktūriniai skirtumai
NPN tranzistorius: Jį sudaro du N - tipo puslaidininkių medžiagos, smaigalys, slidžiančios P ​​- tipo puslaidininkių medžiagą, sudarydama PNP struktūrą. Tiksliau, emiteris ir kolekcionieriai yra pagaminti iš n - tipo puslaidininkių medžiagų, o bazė pagaminta iš P - tipo puslaidininkių medžiagų. Ši struktūra leidžia NPN tranzistoriams turėti elektronų tekėjimą iš emiterio į kolekcininką į priekį šališkumo sąlygomis, sudarydami srovę.
PNP tranzistorius: Jį sudaro du P - tipo puslaidininkių medžiagos, šlifuojančios n - tipo puslaidininkių medžiagą, sudarydama NPN struktūrą. Emitteris ir kolekcionierius yra pagaminti iš P - tipo puslaidininkinės medžiagos, o bazė pagaminta iš n {- tipo puslaidininkinės medžiagos. Esant priekinėms šališkumo sąlygoms, skylės (o ne elektronai) tampa pagrindiniais krūvio laikikliais, tekančiais iš emiterio į kolekcionierių.
2, darbo principas ir poliškumas
NPN tranzistorius: esant priekinėms šališkumo sąlygoms, PN jungtis tarp bazės ir emiterio veda į priekį, leisdama iš emiterio įšvirkščiamas elektronus į pagrindą. Dėl plonos bazės ir mažos dopingo koncentracijos elektronai difuziškai ir rekombinuoti su skylėmis bazėje, sudarydami bazinę srovę. Tuo pačiu metu kai kurie elektronai ir toliau difuziškai difuziškai į kolektorių ir yra pagreitinami kolektoriui surinkti dėl atvirkštinės šališkumo PN jungties tarp kolektoriaus ir bazės, sudarydamas kolektoriaus srovę. NPN tranzistoriaus pagrindas yra neigiamas, emiteris yra teigiamas, o kolekcininkas yra neigiamas.
PNP tranzistorius: jo darbo principas yra priešingas NPN tranzistoriui. Esant priekinėms šališkumo sąlygoms, skylės įšvirkščiamos iš emiterio į pagrindą ir difuziškai yra pagrindas. Dėl panašios bazės dopingo koncentracijos ir storio iki NPN tranzistorių, skylės difuzinės ir rekombinacijos su elektronais bazėje, sudarydamos bazinę srovę. Tuo pačiu metu kai kurios skylės ir toliau išsisklaido su kolektoriumi ir yra pagreitintos kolektoriui surinkti dėl atvirkštinės šališkumo PN jungties tarp kolektoriaus ir bazės, sudarydamos kolektoriaus srovę. PNP tranzistoriaus pagrindas yra teigiamas elektrodas, emiteris yra neigiamas elektrodas, o kolekcininkas yra teigiamas elektrodas.
3, našumo charakteristikos
Dabartinė amplifikacijos galimybė: abu turi dabartinę amplifikacijos funkciją, tačiau konkretus našumas šiek tiek skiriasi. NPN tranzistoriai paprastai turi didelę srovės amplifikacijos koeficientą dėl didelio elektronų mobilumo. Kita vertus, PNP tranzistoriai gali būti šiek tiek mažesnė srovės amplifikacija dėl santykinai mažo skylių mobilumo.
Temperatūros stabilumas: NPN tranzistoriai pasižymi geru stabilumu aukštos temperatūros aplinkoje ir paprastai gali veikti plačiame temperatūros diapazone. Priešingai, PNP tranzistoriai yra jautresni temperatūrai ir gali pablogėti aukštoje temperatūroje.
Triukšmo charakteristikos: laikoma, kad PNP tranzistoriai tam tikrose programose turi mažesnį triukšmo lygį, todėl jie tampa naudingesni situacijose, kai reikia mažo triukšmo. Tačiau tai nereiškia, kad NPN tranzistoriai visais atvejais yra triukšmingi, o konkretus vertinimas turi būti pagrįstas grandinės projektavimu ir eksploatavimo aplinka.
4, taikymo scenarijai
NPN tranzistorius: Dėl savo aukšto srovės amplifikacijos koeficiento, gero stabilumo ir patikimumo NPN tranzistoriai yra plačiai naudojami elektroninėse grandinėse. Stiprintuvo grandinėse NPN tranzistoriai gali amplifikuoti silpnus įvesties signalus ir išvesti didesnę signalo amplitudę; Perjungimo grandinėse NPN tranzistoriai gali greitai įjungti grandinės įjungimo/išjungimo būseną; Loginėse grandinėse NPN tranzistoriai gali pasiekti sudėtingas logines funkcijas.
PNP tranzistorius: Nors PNP tranzistoriai kai kuriais aspektais nėra tokie išskirtiniai kaip NPN tranzistoriai, jie taip pat vaidina svarbų vaidmenį konkrečiose srityse. Pavyzdžiui, grandinėse, kurioms reikia mažo triukšmo, PNP tranzistoriai gali būti geresnis pasirinkimas; PNP tranzistoriai taip pat turi tam tikrą taikymo vertę sunkioje - mokesčio variklio valdyme ir kai kuriose mikrovaldiklio projektavimo programose.
https://www.trrsemicon.com/transistor/ac [{}switching {{3}Bt137.html