Diodo gedimo charakteristikos

Kai taikoma atvirkštinė įtampa viršija tam tikrą vertę, atvirkštinė srovė staiga padidės, o tai vadinama elektros gedimu. Kritinė įtampa, sukelianti elektros gedimą, vadinama diodo atvirkštinio gedimo įtampa. Diodas praranda vienakryptį laidumą elektros gedimo metu. Jei diodas perkaista dėl elektros gedimo, vienakryptis laidumas nebūtinai bus visam laikui sunaikintas, o jo veikimą galima atkurti pašalinus taikomą įtampą, kitaip diodas bus pažeistas. Todėl naudojimo metu reikia vengti atvirkštinės įtampos, kurią veikia diodas.

Pagal mechanizmą atvirkštinį suskirstymą galima suskirstyti į Zenerio suskirstymą ir lavinų suskirstymą. Esant didelei dopingo koncentracijai, dėl mažo barjerinio regiono pločio ir didelės atvirkštinės įtampos sunaikinama kovalentinė jungties struktūra barjeriniame regione, valentiniai elektronai išsiskiria iš kovalentinės jungties ir sukuriamos elektronų ir skylių poros. , dėl kurio smarkiai padidėja srovė, šis suskirstymas vadinamas Zenerio suskirstymu. Jei dopingo koncentracija yra maža, barjero srities plotis yra platus, o Zenerio suskirstymas nėra lengvas.

Kitas gedimo tipas yra lavinų suskirstymas. Kai atvirkštinė įtampa padidėja iki didesnės vertės, taikomas elektrinis laukas pagreitina elektronų dreifo greitį, kad jis susidurtų su kovalentinės jungties valentiniais elektronais, išmuštų valentinius elektronus iš kovalentinės jungties ir sukurtų naujas elektronų ir skylių poras. Naujai sukurtas elektronų skyles pagreitina elektrinis laukas ir tada išmuša kitus valentinius elektronus, o nešikliai padidėja lavinos būdu, todėl smarkiai padidėja srovė. Šis suskirstymas vadinamas lavinų suskirstymu. Nepriklausomai nuo gedimo, jei jo srovė nėra ribota, tai gali visam laikui sugadinti PN sankryžą.