Namuose - Produktai - Tranzistorius - MOSFET tranzistorius - Detalių

P kanalas galia MOSFE

MOSFET FDD4141

Siųsti užklausą

Parsisiųsti

Aprašymas

FDD4141 duomenų lapas:

FDD4141 Išsami produkto informacija
Bendras aprašymas

Šis P-Channel MOSFET buvo pagamintas naudojant „Fairchild Semiconductor“ patentuotą „PowerTrench®“ technologiją, kad būtų užtikrintas mažas rDS(įjungimas) ir optimizuotas Bvdss pajėgumas, kad būtų užtikrintas aukščiausios kokybės pranašumas programose. ir optimizuotas perjungimo našumas, sumažinantis galios išsklaidymo nuostolius keitiklių / keitiklių programose.

funkcijos

Maks. rDS(įjungta)= 12.3mΩ, VGS= -10V, ID= -12.7A

Maks. rDS(įjungta){{0}}.0mΩ, VGS= -4.5V, ID= -10.4A

Aukštos kokybės tranšėjos technologija, užtikrinanti ypač žemą rDS (įjungta)

Atitinkamas AEC Q101

Atitinka RoHS

FDD4141